二维码
萨马伯南

扫一扫关注

当前位置: 首页 » 新闻资讯 » 企业新闻 » 正文

英飞凌和飞兆就功率MOSFET兼容达成协议

放大字体  缩小字体 发布日期:2024-11-11 05:34:12    来源:本站    作者:admin    浏览次数:75    评论:0
导读

  飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Pow

  飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。

  兼容协议旨在保证供货稳定性,同时满足对同级最佳的DC/DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术,为3A至20A的DC/DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。

  飞兆半导体低压产品高级副总裁John Bendel称:“飞兆半导体和英飞凌实现了引脚输出的标准化,并在性能水平方面相辅相成,为客户提供两个供货来源以满足计算、电信和服务器市场对高效率设计的需求。这一揽子协议(package alignment)的目的是通过多个来源和行业标准封装,为客户提供性能领先的产品。”

  英飞凌科技低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示:“我们不单通过减少市场上的‘独有’封装种类,能够使客户从功率产品封装的标准化中获益,还能够以相较上一代产品更小的占位面积,带来提升效能水平的解决方案。”

 
(文/admin)
打赏
免责声明
• 
部分文章来源于网络,我们均标明出处,如果您不希望我们展现您的文章,请与我们联系,我们会尽快处理。
0相关评论
 

(c)2023-2023 www.pec33.com All Rights Reserved

浙ICP备14008059号