据日经BP社报道，日立制作所在“nano tech 2009（国际纳米技术综合展）”（2月18～20日）上展出了芯片尺寸为1.9mm见方的LSI集成型压力传感器。是利用LSI制造工艺把压力传感器制造到LSI上形成的，与该公司此前发布的3.4mm见方的试制品相比，体积大幅缩小。该公司正在探讨利用150mm晶圆生产线的量产事宜。
将尺寸由3.4mm见方缩小到1.9mm见方的理由有二。一是在LSI的正上方形成压力传感器。原来的试制品虽然层积了LSI及压力传感器，但由于要优先确立核心技术，因此为了不在LSI的正上方层叠压力传感器，只好沿水平方向错位形成。另一点是此次削减了压力传感器部分留有的多余空间。留有空间的理由是为了配备压力传感器以外的传感器。
另外，日立此次还介绍了可通过改变隔膜（承受压力后弯曲的薄膜部）尺寸，改变检测压力灵敏度的技术。利用该技术，可使集成型压力传感器的设计及制造工艺实现标准化，还可将达到通用水平的集成型压力传感器应用于多种用途。
