继三星电子之后的世界第二大存储芯片企业SK海力士(SK Hynix)在业界首次推出了300层以上的NAND芯片，展示了在满足人工智能(ai)快速增长的高性能、大容量产品需求的芯片堆叠技术竞争中取得的进展。
SK海力士6日表示，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“闪存峰会”上，公开了321层4D NAND芯片样品。三星电子计划从2025年上半年开始量产1tb (Tb) 3级单元(TLC) 4D NAND闪存。
SK海力士NAND开发负责人崔正达在当天的主题演讲中表示:“随着高性能、大容量NAND的及时推出，我们将努力满足人工智能时代的要求，并继续引领创新。”
随着微软公司(Microsoft corp .)支持的OpenAI开发的ChatGPT等生成式人工智能应用程序的快速增长，对能够以更快速度处理更多数据的高级存储芯片的需求一直在增加。
提高工作效率59%
SK海力士表示，与238层512 Gb 4D NAND芯片相比，321层的NAND芯片的生产率提高了59%，4D NAND芯片是目前业界最高层、最小的NAND芯片。该公司于5月份开始批量生产该产品。
三星电子表示，从238层NAND积累的技术竞争力，为321层NAND的开发取得进展提供了帮助。
SK海力士在一份声明中表示:“通过突破堆叠限制，SK海力士将开启300层以上的NAND时代，并引领市场。”
三星电子还在当天的会议上介绍了采用第五代PCIe接口的企业固态硬盘(SSD)和UFS 4.0等针对这种人工智能需求进行优化的下一代NAND解决方案。
PCle是peripheral component interconnect express的缩写，是用于数字设备主板的串行结构高速输入输出接口。UFS代表通用闪存，一种用于数码相机、移动电话和其他消费电子产品的闪存规范。
SK海力士表示，通过PCIe Gen5和UFS 4.0获得的解决方案开发技术的改进，已经开始了第6代PCIe和UFS 5.0的开发。
