瑞萨科技面向电动车窗及电动门等的车载DC马达驱动用途，上市了H桥驱动IC的新产品“R2J25953”。将从2009年7月30日开始样品供货。
H桥驱动IC是将4个功率MOS FET元件和驱动IC集成在1个封装内的产品。此次的产品特点如下。
（1）虽然是高输出功率产品，但尺寸仍为“业界最小”。
通过采用最新的沟槽栅功率MOS FET等，确保了最大电流为50A的高输出功率。该输出功率的车载DC马达驱动用H桥驱动IC集成在“业界最小”的15.9mm×14.2mm的封装内。另外，与封装4个功率MOS FET元件和驱动IC共计5个芯片时相比，可将板上的封装面积削减30％以上。
（2）低损耗和低耗电量
通过采用上述最新的沟槽栅功率MOS FETT，确保了高压侧用MOS FET的电阻低至16ｍΩ(max)，低压侧用MOS FET的电阻低至11mΩ(max)。从而降低了导通损耗。另外,通过防止开关时的贯通电流及输出关闭时的再生驱动，还大幅降低了脉宽调制（Pulse Width Modulation，PWM）驱动时的损耗。这样便有望降低车载DC马达控制单元的损耗。另外，待机时的消耗电流方面，通过优化驱动IC电路的设计将其降至30μA（max），为降低系统的耗电量作出了贡献。
（3）内置各种内部保护功能，实现了系统保护
保护功能方面，内置有低压禁止电路（Low Voltage Inhibit，LVI）、过电压、高压短路、接地短路以及过热保护电路等各种保护功能。检测出异常时，可输出自我诊断功能信息。该信号通过系统方面的微控制器等接收，设想用于关闭系统等用途。
（4）噪音低、防ESD性高
通过内部电路控制输出摆率，降低了开关噪声。另外，高压侧用MOS FET采用了p通道类型，无需输出级元件的栅极电压升压电路。从而削减了因驱动电路而产生的噪声。另外，还实现了较高的防ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）性（符合AEC-Q100 Component Class CDM：C5，MM：M3）。
